Press release

Kioxia inaugura dos nuevas instalaciones de I+D

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Kioxia Corporation ha puesto en marcha oficialmente dos nuevas instalaciones de I+D: el Flagship Building del Campus Tecnológico de Yokohama y el Frente Tecnológico de Shin-Koyasu, que refuerzan la capacidad de investigación y desarrollo de la empresa en el campo de las memorias flash y las unidades de estado sólido (SSD). De cara al futuro, otras funciones de I+D de la Prefectura de Kanagawa se trasladarán a estos nuevos centros para mejorar la eficiencia de la investigación y promover nuevos avances en innovación tecnológica.

Este comunicado de prensa trata sobre multimedia. Ver la noticia completa aquí: https://www.businesswire.com/news/home/20230531006058/es/

Flagship Building at Yokohama Technology Campus (Photo: Business Wire)

Flagship Building at Yokohama Technology Campus (Photo: Business Wire)

Con la incorporación del nuevo Flagship Building, el Campus Tecnológico de Yokohama prácticamente duplicará su tamaño. Ello permitirá a Kioxia ampliar sus capacidades de evaluación de memorias flash y productos SSD, lo que mejorará el desarrollo y la calidad general de sus productos. Equipado con instalaciones que respetan el medioambiente, el Flagship Building también ha obtenido la certificación ZEB-Ready,1 que se concede a los edificios que reducen el consumo de energía al menos en un 50 % mediante la mejora de la eficiencia energética.

El Frente Tecnológico Shin-Koyasu servirá de polo de investigación básica vanguardista en una amplia gama de áreas de semiconductores, incluidos nuevos materiales, procesos y dispositivos. Cuenta con una sala blanca de última generación de diseño respetuoso con el medioambiente.

Masaki Momodomi, director de tecnología de Kioxia Corporation, señaló: «Estamos muy satisfechos de que las nuevas instalaciones de I+D de Kioxia estén ya operativas. La empresa lleva más de 35 años liderando la innovación en productos de memoria desde que inventamos la memoria flash NAND. Con estas dos nuevas instalaciones, aceleraremos y profundizaremos aún más nuestras actividades de investigación y desarrollo para ofrecer productos, servicios y tecnologías que respalden la sociedad digital del futuro».

Además de las tecnologías de memoria de próxima generación, Kioxia también trabaja en I+D en varios campos como la tecnología de sistemas con vistas a los sistemas informáticos centrados en los datos y la transformación digital, como la IA. Kioxia promueve la innovación abierta con universidades, institutos de investigación y empresas de Japón y el extranjero.

Con su misión de «mejorar el mundo con “memoria”», Kioxia se compromete a desarrollar iniciativas que refuercen la competitividad de sus negocios de memorias flash y SSD.

Flagship Building del Campus Tecnológico de Yokohama

Ubicación: Kasama 2-chome, Sakae-ku, Yokohama-shi, Prefectura de Kanagawa

Altura: 6 plantas

Superficie total: Aprox. 40 000 m2

Frente Tecnológico de Shin-Koyasu

Ubicación: Moriya-cho 3-chome, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Prefectura de Kanagawa

Altura: 4 plantas

Superficie total: Aprox. 13 000 m2

1 ZEB son las siglas en inglés de Edificio de Energía Neta Cero. «ZEB-Ready» es uno de los grados asignados por el Sistema de Etiquetado de Eficiencia Energética de Edificios de Japón, que certifica los edificios que ofrecen un ambiente interior confortable y al mismo tiempo reducen su consumo estándar de energía primaria en un 50 % o más, sin incluir la energía renovable.

Acerca de Kioxia

Kioxia es una empresa líder mundial en soluciones de memoria que se dedica al desarrollo, producción y venta de memorias flash y de unidades de estado sólido (Solid State Drives, SSD). En abril de 2017, su predecesora, Toshiba Memory, se escindió de Toshiba Corporation, la empresa que inventó la memoria flash NAND en 1987. Kioxia tiene el compromiso de mejorar el mundo con memoria ofreciendo productos, servicios y sistemas que crean opciones para los clientes y un valor basado en la memoria para la sociedad. La innovadora tecnología de memoria flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, está dando forma al futuro del almacenamiento en aplicaciones de alta densidad, incluidos los teléfonos inteligentes, computadoras personales y unidades SSD de avanzada, la industria automotriz y los centros de datos.

El texto original en el idioma fuente de este comunicado es la versión oficial autorizada. Las traducciones solo se suministran como adaptación y deben cotejarse con el texto en el idioma fuente, que es la única versión del texto que tendrá un efecto legal.