3D XPoint, el avance en memorias de Intel y Micron

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Tras 10 años de desarrollo Intel y Micron han logrado crear 3D XPoint, una memoria no volátil y para los retailers puedan identificar los patrones de detección de fraude.

Intel Corporation y Micron Technology han presentado la tecnología 3D XPoint, una memoria no volátil y que supone la primera vez que se introduce una nueva categoría desde la llegada de las memorias flash NAND desde 1989.

3dxpointExplican las firmas fabricanes que “el gran aumento de los dispositivos conectados y servicios digitales está generando importantes cantidades de nuevos datos. Para que estos datos sean útiles, deben ser almacenados y analizados muy rápidamente, creando desafíos para los proveedores de servicios y fabricantes de sistemas que deben encontrar un equilibrio entre costes, potencia y rendimiento cuando diseñan soluciones de memoria y almacenamiento”.

La tecnología 3D XPoint combina las ventajas de rendimiento, densidad, energía, no volatilidad y coste de todas las tecnologías de memoria disponibles actualmente en el mercado y es hasta 1.000 veces más rápida y posee hasta 1.000 veces mayor resistencia3 que NAND, y es 10 veces más densa que la memoria convencional, según explican los creadores.

Mark Adams, presidente de Micron,explica que “esta nueva clase de memoria no volátil es una tecnología revolucionaria que permite un rápido acceso a enormes conjuntos de datos y permite aplicaciones completamente nuevas”.

Esta tecnología también es muy útil para los retailers que podrían utilizar la tecnología 3D XPoint para identificar más rápidamente los patrones de detección de fraude en las transacciones financieras.

Además, “las ventajas de rendimiento de la tecnología 3D XPoint también podría mejorar la experiencia de PC, permitiendo a los usuarios disfrutar de una interacción más rápida en redes sociales y colaboración, así como experiencias de juego más inmersivas”.

Dicen desde Intel y Micron que han sido 10 años de investigación se ha llegado a una arquitectura de punto de cruce con menos transistores crea un diseño tridimensional en forma de damero donde las celdas de memoria se sitúan en la intersección de las líneas de palabras y las de bits, permitiendo que las células puedan ser tratadas individualmente. Como resultado, los datos pueden ser escritos y leídos en pequeñas cantidades, permitiendo un proceso de lectura y escritura más rápido y eficiente.


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