Toshiba y SanDisk fabricarán ahora chips de 16 a 17 nm

Negocios

La inversión de 3.000 millones de euros en una planta para fabricar obleas de silicio más pequeñas, harán de Toshiba y SanDisk más fuertes frente a Samsung.

La fabricante nipona Toshiba planea construir una nueva planta de producción de chips de memoria para lo que invertirá 400 millones de yenes japoneses (3.064 millones de euros), conjuntamente con SanDisk. ¿El objetivo?: hacer frente a Samsung en el mercado de los sistemas de memoria.

Planta de fabricación de Toshiba y SanDisk
Planta de fabricación de Toshiba y SanDisk

De acuerdo con las informaciones publicadas, Toshiba planea fabricar chips de 16 a 17 nanómetros en la nueva planta, lo que le prmeitirá reforzar su presencia en el mercado de memorias, en el que la coreana Samsung se lleva la mayoría de las ventas. Los chips que la empresa japonesa construye hasta el momento, son de 19 nanómetros.

La nueva planta, que se espera que comience su producción en el próximo año fiscal, podría llegar a fabricar al mes unas 450.000 obleas de 300 mm, que serán usadas para las memorias que comercializarán Toshiba y SanDisk, empresas que tienen una empresa conjunta para la fabricación de memorias flash NAND y que esperan repartir el proyecto de un nuevo edificio en los terrenos de su planta en la ciudad nipona de Nagoya.

Este anuncio destaca porque sería la primera gran inversión de Toshiba para incrementar su producción en el mercado de las memorias en los últimos dos años, según publica Reuters.

SanDisk acaba de adquirir una empresa SSD para reforzar su posición en este mercado

Destaca que hace un mes SanDisk anunciara la adquisición de Smart Storage Systems por 307 millones de dólares, con el objetivo de poder hacer frente en el mercado SSD o unidades de estado sólido a Western Digital, que pocos días antes se hizo con Stec.

SanDisk proporciona productos de memoria flash, y es socio de grandes fabricantes como la japonesa Toshiba. Según la misma empresa ha dicho, esta adquisición le proporcionará a la compañía equipo adicional para la transición a las obleas de características Fab 3 y Fab 4 y a la primera fase de Fab 5, y también a la próxima generación de tecnologías NAND 2D y para las primeras generaciones de la tecnología NAND 3D.


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